图一所示为晶体管特性测试电路。左边由基极和发射极组成的回路称为输入回路，右边由集电极和发射机组成的回路称为输出回路。
晶体管的特性曲线可根据实验数据绘出，也可以由晶体管图示仪直接绘出。晶体管的特性曲线分为输入特性曲线和输出特性曲线两种。

图一

1、输入特性曲线

输入特性是指三极管输入回路中，加在基极和发射极的电压UBE与由它所产生的基极电流I之间的关系。

(1)U_CE=0时相当于集电极与发射极短路，此时，I_B和U_BE的关系就是发射结和集电结两个正向二极管并联的伏安特性。因为此时Jz和Jc均正偏，I是发射区和集电区分别向基区扩散的电子电流之和。

(2) U_CE≥1V即:给集电结加上固定的反向电压，集电结的吸引力加强，使得从发射区进入基区的电子绝大部分流向集电极形成I。同时，在相同的U_BE值条件下，流向基极的电流I_B减小，即特性曲线右移。

总之，晶体管的输入特性曲线与二极管的正向特性相似，因为b、e间是正向偏置的PN结(放大模式下)

2、输出特性曲线

输出特性通常是指在一定的基极电流I控制下，三极管的集电极与发射极之间的电压U_CE同集电极电流I的关系。现在我们所见的是共射输出特性曲线表示以I为参变量时，I和U_CE间的关系∶即I_C=f（U_CE）I_IB=常数

实测的输出特性曲线根据外加电压的不同，整个曲线可划分为四个区：放大区、截止区、饱和区、击穿区。